安世中国押注 SiCGaN：宽禁带联合研发，抢跑下一代

IGBT 之外，安世中国把目光投向了更远的材料战场——SiC 与 GaN 宽禁带半导体的联合研发。在新能源车、高压快充、光储充一体的浪潮下，碳化硅与氮化镓被公认为下一代的胜负手。

这并非空谈。安世中国已有 1,200V FS8 IGBT 系列坐镇硅基高压，性能优于市面第七代；高压高功率 IGBT 模组也已迈入 12 英寸量产。在这条扎实的硅基路线上，宽禁带研发是顺理成章的延展——用成熟工艺平台的工程积累，去啃新材料的一致性与良率难题。

支撑这条路的，是 12 英寸晶圆的成本底盘。单片有效芯片产出相对 5 寸提升约 5.7 倍、相对 6 寸约 4 倍、相对 8 寸约 2.2–2.4 倍；单颗芯片成本相比 5 寸降约 70%、6 寸约 60%、8 寸降 50%。背后是三个环节：规模效应摊薄单位成本；全自动化让人为操作减少 90% 以上、良率稳定在 92.7% 以上；供应链本土化消除跨境运费与关税、成本再降 15%–20%。省下的每一分钱，都能反哺宽禁带研发。

国产闭环让新材料落地更有底气。MOSFET、逻辑 IC 已实现中国区供应链闭环，双极晶体管年内完成全链条闭环，国产化率从不足 20% 提升至近 100%。材料、晶圆、封装链条一旦闭合，SiC/GaN 的本土产业化就有了现成的土壤。

路线图同样明确：18 大工艺平台 2026 年底完成部署与工艺固化，2027 上半年规模化量产，常态化每月 20 款以上设计产出。从硅基 FS8 到宽禁带，安世中国的高压与未来布局，正在连成一条清晰的曲线。

郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。